碳化硅（SiC）——第三代181801威尼斯检测站单晶材料
迄今为止，以硅（Si）、砷化镓（GaAs）为代表的第一、第二代181801威尼斯检测站推动了微电子、光电子技术的迅猛发展。随着电力电子技术的飞速发展，181801威尼斯检测站器件需求也在增加，电流、电压等级越来越高，芯片越薄越小，导通压降低，开关频率高、损耗小等等。Si基181801威尼斯检测站由于材料特性所限已经无法满足需求，而以碳化硅SiC等新材料为主的新型181801威尼斯检测站材料，以其优越的性能突破Si的瓶颈，给181801威尼斯检测站器件性能带来了显著提升。
